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（原标题：芯片中的环节材料，将被替代）
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开首：履行编译自semiconductor-digest 。
仅在2024年，半导体芯片的产量就达到了惊东说念主的1万亿颗，特地于地球上每个东说念主领有100颗芯片。这一数字背后，是一个行业正在竞相破损半导体的物理极限，以提供更高的性能，感奋先进东说念主工智能、高效旯旮想象以及智高东说念主机和其他智能建树高端化带来的日益增长的需求。
如今的智能建树比其前代居品领有更多功能，尤其是在东说念主工智能 (AI) 兴起的布景下。这收货于闪存中的 3D NAND等本事 ，这些本事将存储器层像摩天大楼一样垂直堆叠，互连必须快速、精准且无舛错。
为了感奋更高的性能要求，芯片制造限制正在资历变革——金属化——即在芯片上千里积薄金属层以造成电路的工艺。从创建复杂的图案，到存储字线，再到逻辑触点，逐原子千里积金属关于制造先进芯片至关进攻。
关连词，跟着层数的加多和字线流通（即与存储单位的“线”流通）的裁汰，电阻和可靠性成为瓶颈。钨正濒临雷同的窘境，在畴前的25年里，钨一直是互连的主要材料。但跟着芯片结构日益复杂，配资门户尤其是3D NAND和DRAM的发展，钨的性能已达到极限。跟着咱们干涉东说念主工智能期间，钼这种金属将鼓动先进芯片制造的下一个飞跃。
钼优于钨，并具有三大环节破损：
纳米级电阻率低于钨
排斥相背层，减少制造工艺设施
跟着建树收缩和层数加多，可延迟性更好
这些上风飘荡为更快的芯片、更高的产量和更高效的分娩——扫数这些关于应用 NAND、DRAM 和逻辑芯片三大主要部分的从智高东说念主机到就业器的下一代建树齐至关进攻。
尽管钼具有诸多上风，但迄今纵脱，它尚未在金属化工艺中使用，因为原子层千里积 (ALD) 门径尚未诱骗出感奋钼金属化要求的门径。具体而言：
固体先行者体运输 – 用于原子层千里积 (ALD) 钼的先行者体（或源材料）为固体体式。需要进行硬件诱骗，以使用固体先行者体并将其调度为适用于原子层千里积 (ALD) 的模块。
特征内千里积——NAND、 DRAM和逻辑器件需要多样体式的千里积 。具体而言，NAND 需要原子层千里积，以共形花式千里积在垂直和水平字线 (WL) 结构中。逻辑器件应用可能需要低温千里积以及选定性滋长。
工程低电阻——为了杀青低电阻，钼的晶粒尺寸以及与相邻金属和介电材料的界面要求至关进攻。为了杀青最低电阻，需要先进的原子层千里积 (ALD) 本事以及硬件诱骗。
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